Identity#
- 原标题：Kelle: Co-design KV Caching and eDRAM for Efficient LLM Serving in Edge Computing
- 作者：Tianhua Xia; Sai Qian Zhang
- 年份与版本：2025；Proceedings of the 58th IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture。
- 正式 DOI：10.1145/3725843.3756071；身份核对：出版商登记题录。
- 实际读取材料：预印本摘要页。
Reading#
2026-10-12 实际读取：arXiv v1（2025-10-16）摘要；MICRO 2025 正式 DOI 与作者由 Crossref 核对，未读正文。 摘要及部分正文阅读不代表全文复核。
Summary#
**所读材料中作者的主张，以下为 AI 概括：**作者以 eDRAM 的密度优势缓解边缘 KV 容量压力，并联合细粒度驱逐、重计算和刷新控制，减少维护开销。
Limits#
eDRAM 刷新属于存储介质维护，不能等同于分布式副本的一致性。未核验精度条件、硬件面积或能耗数据。
Links#
联系：容量、传输和执行效率的成本分类。本资料在存储与服务地图中按阅读范围定位。